在当今技术飞速发展的时代，半导体材料的革新尤为重要。近日，中国科学院微电子研究所宣布，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，标志着这一第三代半导体材料将成为推动我国制造业转型升级的重要力量。该器件不仅在航天技术中具有重要应用价值，还将 ...

在当今日益关注环境保护的背景下，如何有效处理温室气体已成为全球关注的热议话题。最近，国网重庆电力公司电力科学研究院、国家电网有限公司联合申请了一项颇具前瞻性的专利，名为“一种用于SF6热催化转化的负载型催化剂及其制备方法”。这一专利的申请不仅在技术层面引人瞩目，更在中国乃至全球的电力行业中带来了深远的影响。

近日，中国科学院微电子研究所的研究团队宣布，他们成功地在太空中验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件。此次试验标志着我国在第三代半导体材料领域的重大突破，为未来航天电源的技术升级提供了新的可能性。

英飞凌科技高级副总裁、工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉 日前，英飞凌举办的碳化硅媒体发布会上，英飞凌科技高级副总裁、工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉就表示，公司将全球低碳化发展作为重要战略之一，关注着电力产业的方方面面 ...

据研究机构预测，碳化硅市场的规模将在未来几年迅速扩大。2023年碳化硅市场的总产值估计达到20亿美元，预计2025年将翻倍。新洁能的产品发布正是切入这一快速膨胀市场的契机，带来了丰富的市场想象空间。在电动汽车充电基础设施建设及可再生能源并网中，SiC MOSFET的应用将推动整体产业的技术水平提升，进而增强企业的竞争力。

2025-01-14 08:00发布于云南电子工程世界官方账号 今年以来，电动汽车的新品发布频繁刷屏，高压快充让800V这一概念不断深入人心，也使得“碳化硅 ...

自2024年12月首次披露港股上市计划以来，国产碳化硅衬底龙头天岳先进（688234.SH）1月27日晚间进一步公布港股上市方案及高管变动情况。经济导报记者注意到，受电动汽车、低空飞行等领域需求带动，碳化硅衬底材料需求走高，业内公司业绩水涨船高。天岳 ...

作为国内率先自主研发并掌握6英寸SiC MOSFET产品及其工艺平台的开拓者，瞻芯电子于2022年在浙江义乌成功投产了车规级SiC晶圆厂，实现了从Fabless到IDM模式的关键性转变，这一变革显著加速了产品迭代开发的进程。

天岳先进在加速出海的同时，需把握好技术迭代与产能消化的节奏。港股上市虽能拓宽融资渠道，但国际资本市场对技术壁垒、良率控制的要求更为严苛。如何在高研发投入与盈利承诺间找到平衡点，将是其资本故事能否持续的关键。

新华社上海2月2日电（记者张建松、张泉）以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。

国产碳化硅衬底龙头，业绩表现如何？

天岳先进成立于2010年，并于2022年登陆科创板，目前市值251亿元（人民币，下同）。自成立以来，天岳先进就专注于碳化硅（SiC）单晶衬底材料研发、生产和销售。据悉， 国际排名前10的功率半导体企业超过一半以上都已成为天岳先进客户。