2025年2月12日，英飞凌科技奥地利有限公司宣布其拥有全新专利的半导体器件——具有集成MOS选通的二极管或肖特基二极管。这项专利的授权公告号为CN111223857B，申请日期则可追溯至2019年11月。从此，英飞凌在半导体领域的技术突破不仅将提升 ...

自成立以来，威兆半导体始终聚焦功率器件研发与应用技术研究，凭借多年的科研攻关已成为少数同时具备低压、中压、高压全系列功率MOSFET/IGBT单管、模块以及特殊半导体制程设计能力的先进半导体设计公司。产品涵盖传统硅基及第三代化合物半导体SiC和GaN ...

"回家过年，找回最初的自己。"这是天府泰剧《双面人生》中的一句经典台词，它不仅概括了这部作品的核心主题，也触动了许多观众的心弦。在春节期间，《双面人生》以其独特的视角和温暖的故事，在众多影视作品中脱颖而出，成为了不少家庭围炉夜话时的共同话题。

即：当GPIO1为高电平时，Q2导通时，GPIO2不会产生变化，起到隔离作用。只能通过按键的开关来改变GPIO2的高低电平，进而通过控制按键按下的时间长短，来控制开关机。

mos管工作原理图 二、特性差异 （1）输入阻抗 三极管的输入阻抗相对较低，一般在几百Ω到几千Ω之间。这意味着三极管的基极需要一定的电流来 ...

在全球半导体行业持续发展的背景下，江西萨瑞微电子技术有限公司于2024年11月申请了一项名为“沟槽MOS器件及其制备方法”的新专利。这一创新技术通过设置浮栅结构，有效降低了器件底部拐角处的电场强度，从而提升了器件的耐压能力和总体可靠性。这一突破为未来电力控制和微电子设备的性能提升提供了新的思路，也为市场注入了新的活力。

【扬杰科技：间接向英伟达提供MOS、二三极管等功率器件产品】财联社1月2日电，扬杰科技在互动平台表示，公司通过代理商间接向英伟达提供MOS ...

在半导体行业技术不断更新的背景下，江西萨瑞微电子技术有限公司近日申请了一项名为“一种沟槽MOS器件及其制备方法”的专利（公开号CN119384018A），通过创新设计降低沟槽MOS器件底部拐角处的电场强度。该专利的申请日期为2024年11月，展示了江西萨瑞在高性能电子器件领域不断追求创新的决心。