实现了突破性的176层NAND创新。所有这些结合在一起，开创了具有高效CuA 3D架构的176层NAND。 为了实现从使用浮动栅极单元的96层增加到使用替换栅极和电荷捕获闪存单元的176层，我们必须在工艺技术上取得进步。例如，克服结构高度增加的主要难点是以更高的深 ...

3D NAND光刻胶产品简介 3D NAND光刻胶是一种特殊类型的光刻胶材料，用于制造 3D NAND闪存的光刻工艺。KrF是光刻中常用的光源（波长248 nm），用于在半导体制造工艺中较小的节点（通常低于 ...

为了改进数据存储，研究人员正在完善三维 NAND 闪存，这种闪存将单元堆叠起来，以最大限度地利用空间。研究人员发现了一种更快、更高效的方法，可利用先进的等离子体工艺在 3D NAND 闪存中蚀刻深孔。

👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容编译自IEDM，谢谢。 编者按 在IEDM 2024上，SK海力士和美光就DRAM和NAND的未来发展分享了他们的各自观点，在本篇文章中，我们综合了两家的观点，以飨读者。

研究人员发现了一种更快、更高效的 3D NAND 闪存深孔蚀刻方法，即使用先进的等离子工艺。通过调整化学工艺，他们使蚀刻速度翻倍，精度也得到提高，为实现更密集、更高容量的内存存储奠定了基础。 为了改进数据存储，研究人员正在完善三维 NAND 闪存 ...

在科技领域的最新进展中，3D NAND闪存技术因其存储单元堆叠的独特设计而备受瞩目，这一设计策略不仅显著提升了存储密度与容量，还有效降低了生产成本。近日，一项创新蚀刻工艺的问世，为3D NAND闪存技术的进一步突破带来了希望。 这项新工艺由Lam Research ...

IT之家1 月 31 日消息，据外媒 Tom's shardware 报道，长江存储目前已开始出货第五代 3D TLC NAND 闪存，共有 294 层，以及 232 个有源层。 外媒认为长江存储在其闪存中使用了晶栈 4.0（IT之家注：Xtacking 4.0）架构，利用混合键合技术将闪存阵列与 CMOS 逻辑和接口连接起来 ...

2025年01月29日 18:26中关村在线 ...

Chính thức ra mắt cộng đồng game thủ vào ngày 16/11, Truyền Thuyết Rồng 3D ban đầu gây ra khá nhiều tò mò khi được giới thiệu là phiên bản mobile của Daybreak Online. Ngay trong những ngày đầu ra mắt, ...