据日经BP社报道，恩智浦-台积电研究中心（NXP-TSMC Research Center）近日开发出了把尖端CMOS LSI的布线中使用的材料用于MEMS元件封装的方法。该方法在把可动部的某个MEMS元件封入空穴的封装工艺中，使用了尖端LSI布线层中使用的low-k材料，从而把MEMS元件固有封装工艺向现有CMOS制造工艺靠近的技术。　　...