近日，江西萨瑞半导体技术有限公司成功获得一项重要专利，名为“一种缓启动功率MOS晶体管及其制备方法”，授权公告号为CN118888598B。这项专利的申请日期为2024年9月，标志着该公司在电力电子领域的重要进展。成立于2020年的江西萨瑞半导体，致力于计算机、通信及其他电子设备的制造，其注册资本达到5000万元人民币。这一新型晶体管的研发不仅在技术上具有突破性，还将有望在智能设备市场中引发一场变 ...

前言低压MOS在移动电源内部用于移动电源的升降压电路、电池保护、VBUS等场景，确保移动电源高效、稳定地运行。随着移动电源市场对性能和安全性要求的不断提高，各大厂商对低压 MOS 的性能和质量也越发重视。众多半导体企业都在低压 MOS ...

2025年2月12日，英飞凌科技奥地利有限公司宣布其拥有全新专利的半导体器件——具有集成MOS选通的二极管或肖特基二极管。这项专利的授权公告号为CN111223857B，申请日期则可追溯至2019年11月。从此，英飞凌在半导体领域的技术突破不仅将提升 ...

即：当GPIO1为高电平时，Q2导通时，GPIO2不会产生变化，起到隔离作用。只能通过按键的开关来改变GPIO2的高低电平，进而通过控制按键按下的时间长短，来控制开关机。

辉瑞公司日前宣布了TALAPRO-2 ...

直流无刷电机驱动电路 BLDC 的功率级驱动电路通常由 6 个 N 沟道功率 MOS 管构成三相全桥。这 6 个 MOS 管分为两组，三个高边 MOS 连接电源正极（VBus），三个低边 MOS 连接电源负极。通过控制 MOS 管通断，实现电流在电机绕组中分配，推动电机运转。 单个 NMOS ...

在电子电路里，MOS 管作为常用功率开关元件，其门极驱动电路设计对性能影响重大。今天我们来介绍以下三种常见的 MOS 管门极驱动电路。 1.直接驱动：直接驱动电路是一种较为简单直接的 MOS 管门极驱动方式，（通过电阻、二极管等元件直接驱动 MOS 管）。电阻 R1 用于限流与抑制寄生振荡，阻值通常在 10Ω 到 100Ω。电阻 R2 为 MOS ...

在半导体行业技术不断更新的背景下，江西萨瑞微电子技术有限公司近日申请了一项名为“一种沟槽MOS器件及其制备方法”的专利（公开号CN119384018A），通过创新设计降低沟槽MOS器件底部拐角处的电场强度。该专利的申请日期为2024年11月，展示了江西萨瑞在高性能电子器件领域不断追求创新的决心。

在全球半导体行业持续发展的背景下，江西萨瑞微电子技术有限公司于2024年11月申请了一项名为“沟槽MOS器件及其制备方法”的新专利。这一创新技术通过设置浮栅结构，有效降低了器件底部拐角处的电场强度，从而提升了器件的耐压能力和总体可靠性。这一突破为未来电力控制和微电子设备的性能提升提供了新的思路，也为市场注入了新的活力。

龙腾半导体于2009年7月13日成立于西安，是一家致力于新型功率半导体器件研发、生产、销售、服务的高新技术企业。作为国内较早量产超结MOSFET并将超结技术应用于中低压MOSFET产品的企业之一，龙腾半导体经过15年的稳扎稳打，逐渐获得功率半导体细分 ...

金融界2025年2月13日消息，国家知识产权局信息显示，浙江杰斯特电器有限公司申请一项名为“一种缓式分压开关的充放电保护电路及锂电池组”的专利，公开号CN 119401614 A，申请日期为2024年12月。 专利摘要显示，本发明涉及锂电池控制技术领域，尤其涉及一种缓式分压开关的充放电保护电路及锂电池组，应用于汽车锂电池保护板，保护板上设有保护模块，保护模块设有与锂电池负极连接的放电MOS管Q2， ...

IT之家 2 月 8 日消息，松下去年 12 月推出了 ZS99 以及 G97 相机，官方今日宣布 Lumix G97 国行版本将于本月上市，但截至IT之家发稿仍未公布定价。 Lumix G97 搭载 20.3MP CMOS ...