研究人员开发出一种氟化氢等离子体技术，可将三维 NAND 闪存芯片制造过程中的蚀刻速度提高一倍，新蚀刻工艺可提高手机、相机和计算机的数据存储密度。标准 NAND 闪存用于微型 SD 卡、USB 驱动器以及电脑和手机中的固态硬盘。 为了在更小的空间内容纳更多的千兆字节，制造商开始在一种称为 3D NAND 的工艺中垂直堆叠存储单元。3D NAND 的进步已经推动芯片设计超过 200 层，美光、SK ...