衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。 外延（epitaxy）是指在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上生长一层新单晶的过程 ，新单晶可以与衬底为同一 ...

也可以是其他的半导体材料制成，前提是高纯度且晶向按规则排列。有时也指在其表面已加工完成芯片后但尚未切割的半导体硅片。衬底则特指尚未开始进行表面加工的晶圆。有时也特指用于半导体外延生长的基板晶圆。

NMOS衬底一般反偏，以防止沟道的N区和衬底P区之间正向导通；另一方面，源极s和衬底短接也可以避免这个pn结产生电流。 因此以下称底偏压VBS为负值，加绝对值是为了便于描述电荷量大小。

2024年10月22日 · 1. 碳化硅衬底材料按照其碳化硅（SiC）含量的高低可以分为不同的级别，其中包括P级和D级。 2. P级碳化硅衬底指的是SiC含量超过98.5%的材料，这类产品通常符合国家标准，被视为一级产品。 3. D级碳化硅衬底的SiC含量在90%以上，但低于P级，这类产品在工业中也有 ...

2024年7月14日 · 1. 基底与衬底材料在半导体工艺中具有不同的含义。在半导体领域，"substrate"一词可以译为"基底"或"衬底"。 2. 在线性代数中，"基"（basis）是一个描述和刻画向量空间的基本概念。向量空间的基是该空间的一个特殊子集，其中的元素被称为基向量。

什么是半导体的衬底衬底是具有特定晶面和适当电学，光学和机械特性的用于生长外延层的洁净单晶薄片。 化工学衬底最常见的为氮化物衬底材料等。 氮化物衬底材料的研究与开发增大字体复位宽带隙的GaN基半导体在短波长发

2024年11月5日 · 在芯片制造工艺中，SOI（Silicon-On-Insulator）衬底是一种独特的结构，它在硅衬底上覆有一层绝缘层，如二氧化硅（SiO2），在绝缘层之上再覆有一层薄薄的硅层。相较于传统直接在硅衬底上形成的芯片，SOI衬底在性能上有着显著提升，主要体现在以下几点：

提问的同学的困惑我猜应该是说，平时的电路符号，衬底都是和源端连在一起的，在 传输门 这里为什么要单独强调，PMOS衬底连在vdd，而NMOS衬底连在gnd，这是因为其实平时NMOS和PMOS作下拉和上拉时，源端都是接在了gnd或者VDD上的，而这里NMOS和PMOS是作连接线的左右，不是跨接在vdd和gnd两端，所以要 ...

衬底（substrate）是由半导体 单晶材料 制造而成的晶圆片， 衬底可以直接进入晶圆制造环节生产 半导体器件 ，也可以进行外延工艺加工生产外延片。 外延（ epitaxy ）是指在单晶衬底上生长一层新单晶的过程，新单晶可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料。

这个衬底是一个比较通俗的说法，其涵盖的工艺比较多，要看是具体什么地方的衬底。 比如说，墙面本身有很大的高度差，需要石膏衬底，或者水泥砂浆衬底，在这里也可以理解为墙面基层找平。